梁骏吾

梁骏吾 (1933.9.18-- ) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学，1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。持“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次。 1997年当选为中国工程院院士。

中文名: 梁骏吾
出生日期: 1933.9.18

籍贯: 湖北武汉黄陂
职务: 研究员

梁骏吾个人履历

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□ 工作单位：中国科学院半导体研究所

□ 所在学部：中国工程院信息与电子工程学部

□ 专业特长：半导体材料

梁骏吾（1933.9.18--) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学，1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次。

1997年当选为中国工程院院士。